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Laboratoire de recherche

UMR 6602 - UCA/CNRS
Tutelle secondaire CHU Clermont-Ferrand
Membre de Clermont Auvergne INP

Prix Jeunes Chercheurs

3 prix gagnés par nos docteurs à la 27e édition des Prix Jeunes Chercheurs de Clermont-Ferrand :

Prix Clermont Auvergne Innovation pour Guillaume Mougeot, Docteur en Image, système de perception, robotique (ED SPI) pour sa thèse en collaboration avec l'IGReD et Oxford (Nuclear Plant Envelope).

Prix INP Polytech pour Guy Vano Tsamo Tagouche, Docteur en Ingénierie des Matériaux (ED SPI) pour sa thèse.

Prix de la Fondation UCA pour Ismaël Septembre, Docteur en Physique - Milieux denses et matériaux (ED SF) pour sa thèse.

Nous félicitons Sayed Mohammadreza Shetab Bushehri, Docteur en Génie Electrique, Electronique et Systèmes (ED SPI) qui a brillamment défendu la robotique de manipulation des objets déformables.

Plateforme multi-techniques d’élaboration et de caractérisation

L'Institut Pascal, vient de se doter d'un nouveau Système d'Analyse et de Structuration des Surfaces (SASS) grâce aux financements de l'Union Européenne dans le cadre du FEDER, de la Région AURA et avec le soutien de l'UCA.Cette plateforme est dédiée à l’analyse de matériaux organiques et inorganiques avec un volume qui s'étend de la surface à une profondeur d'environ 50-100 Å. Les techniques de caractérisation disponibles sont multiples : AR-XPS, UPS, ARPES, REELS apportant des informations différentes liées à la profondeur d’analyse et à l’interaction du rayonnement électromagnétique avec la matière.

Séminaire axe ISPR

Ce lundi 28 novembre, les membres de l'axe ISPR de l'Institut Pascal se retrouvent au vert pour leur séminaire annuel permettant de faire un point sur l'ensemble des activités scientifiques du groupe et d'intégrer les nouveaux arrivants.

Collaboration Michelin - IP

Dans le cadre d'une collaboration entre l'Institut Pascal et la manufacture Michelin, une démonstration réelle s'est déroulée le jeudi 10 novembre 2022 afin de montrer les capacités d'un véhicule autonome à évoluer à 40 km/h sur une  piste particulièrement éprouvante pour les pneumatiques. Cette première démonstration rentre dans un projet plus global qui doit permettre aux deux partenaires de montrer les capacités de ce type de véhicule à réaliser en autonomie certains tests de pneumatiques mais également de travailler sur le développement de nouveaux tests dont certains plus spécifiques pour ces véhicules de demain.

La fête de la science 2022

Pour l'édition 2022 de la Fête de la Science, l'Institut Pascal était présent sur tous ses thèmes de recherche sur des sites différents du campus des Cézeaux. Les démonstrations aux chercheurs en herbe allaient de la plateforme Pavin Solaire, en passant par les véhicules autonomes, les robots et la 3D, les pouvoirs magiques de la lumière noire et sous forme d'un escape game pour les mystères des capteurs de gaz.

Journées robotiques agricoles

Les deux journées techniques du réseau R2M et du projet AgROBOFood co organisées par INRAE, CEA et Institut Pascal ont lieu ces 12 & 13 octobre sur le site de Montoldre autour des thèmes de la navigation, la sécurité et l’intelligence artificielle pour le développement de robots mobiles en agriculture et en environnement ouvert.

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Avit Geoffrey


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Fonction : Permanent (UCA)
Lieu d'exercice : EUPI Bat. 3/4/L
Equipe : Minamat-3VAH (PHOTON)
Téléphone : +33


Publications associées :
41 publications trouvées


2020
ACL
ZEGHOUANE M., ANDRE Y., AVIT G., JRIDI J., BOUGEROL C., COULON P., FERRET P., CASTELLUCI D., GIL E., SHIELDS P., DUBROVSKII V., TRASSOUDAINE A.
Formation of voids in selective area growth of InN nanorods in SiN x on GaN templates
Nano Futures, vol. 4, p. 025002
2020 may 29


ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., TALIERCIO T., FERRET P., GIL E., CASTELLUCI D., DISSEIX P., LEYMARIE J., TOURNIE E., TRASSOUDAINE A.
Morphological Control of InN Nanorods by Selective Area Growth–Hydride Vapor-Phase Epitaxy
crystal growth \& design, vol. 20, p. 2232
2020


2019
ZEGHOUANE M., AVIT G., CORNELIUS T., SALOMON D., ANDRE Y., BOUGEROL C., TALIERCIO T., MEGUEKAM-SADO A., FERRET P., CASTELLUCI D., GIL E., TOURNIE E., THOMAS T., TRASSOUDAINE A.
Selective growth of ordered hexagonal InN nanorods
CrystEngComm, vol. 21, p. 2702
2019 apr 15


COM
ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., FERRET P., CASTELLUCI D., TOUNIE E., TALERCIO T., MEGUEKAM A., ROBIN Y., DUBROVSKII V., AMANO H., TRASSOUDAINE A.
Position and composition controlled high quality (In, Ga)N nanowires grown by HVPE
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
2019


AFF
JRIDI J., ZEGHOUNE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., FERRET P., CASTELLUCI D., ROBIN Y., DUBROVSKII V., AMANO H., TRASSOUDAINE A.
Self-induced InGaN nanowires with a controlled InN mole fraction by HVPE
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
2019


2018
ACL
ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., BOUGEROL C., CASTELLUCI D., REVERET F., GIL E., MEDARD F., LEYMARIE J., JEAN T., DUBROVSKII V., TRASSOUDAINE A.
Circumventing the miscibility gap in InGaN nanowires emitting from blue to red
Nanotechnology, vol. 29, p. 465602
2018


ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., ROBIN Y., FERRET P., CASTELLUCI D., GIL E., DUBROVSKII V., HIROSHI A., TRASSOUDAINE A.
Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90%.
Nanotechnology, vol. 30, p. 044001
2018


AVIT G., ZEGHOUANE M., ANDRE Y., CASTELLUCI D., GIL E., SI-YOUNG B., AMANO H., TRASSOUDAINE A.
Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE.
Crystal Engineering Communication, vol. 20, p. 6207--6213
2018


HIJAZI H., DUBROVSKII V., MONIER G., GIL E., LEROUX C., AVIT G., TRASSOUDAINE A., BOUGEROL C., CASTELLUCI D., ROBERT GOUMET C., ANDRE Y.
Influence of silicon on the nucleation rate of GaAs nanowires on silicon substrates
The Journal of Physical Chemistry, vol. 122, p. 19230--19235
2018


COM
ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., FERRET P., CASTELLUCI D., TRASSOUDAINE A.
Growth of (In,Ga)N nanowires with a controlled indium mole fraction by HVPE
4,5- 7th NANOSEA International Conference NANO-structures and nanomaterials SElf-Assembly, Carqueiranne (NanoSEA), France
2018


ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., FERRET P., CASTELLUCI D., TOURNIE E., TALERCIO T., MEGUEKAM A., ROBIN Y., DUBROVSKI V., AMANO H., TRASSOUDAINE A.
Self-induced and selective area growth of (In,Ga)N nanowires
IWN International workshop on Nitride Semiconductors, Kanazawa, Japan
2018


AVIT G., ZEGHOUANE M., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., CASTELLUCI D., FERRET P., ROCHE E., LEYMARIE J., MEDARD F., DUBROVSKI V., TRASSOUDAINE A.
Self-induced growth of InN nanowires and selective area growth of In(Ga)N nanowires with a controlled mole fraction by HVPE
ISGN 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Varsovie, Pologne
2018


AFF
HIJAZI H., AVIT G., PAGET D., MONIER G., GIL E., DONG Z., MONIER G., ROBERT-GOUMET C., CASTELLUCI D., TRASSOUDAINE A., LEROUX C., DUBROVSKI V., ANDRE Y.
Charge and spin diffusion in gallium arsenide nanowires grown by HVPE
16 ème Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO, Agay
2018


ANDRE Y., ZEGHOUANE M., AVIT G., ROCHE E., BOUGEROL C., LEYMARIE J., MEDARD F., MONIER G., REVERET F., CASTELLUCI D., DUBROVSKII V., GIL E., TRASSOUDAINE A.
Hydride Vapor Phase Epitaxy of binary and ternary III-Nitride nanowires
Nanowire week conference 2018, Hamilton, Canada
2018


ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., FERRET P., CASTELLUCI D., DUBROVSKI V., TRASSOUDAINE A.
“HVPE growth of InGaN nanowires with a controlled indium mole fraction and selective area growth of well-ordered InN nano- and microwires
16 ème Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO, Agay
2018


2017
ACTI
ANDRE Y., DONG Z., ROCHE E., AVIT G., DUBROVSKII V., BOUGEROL C., VARENNE C., AUDONNET F., FONTANILLE P., LEYMARIE J., MÉDARD F., MONIER G., REVERET F., CASTELLUCI D., TRASSOUDAINE A., GIL E.
Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) growth of III-V and III-Nitrides nanowires on silicon
Energy Materials Nanotechnology EMN Epitaxy
2017 11


INV
AMANO H., AVIT G., TRASSOUDAINE A.
Growth of III-Nitride Nanorods for Future Optoelectronics Applications.
18th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, Neubaukirche in Würzburg, Germany, July 2017.
2017


AVIT G.
HVPE growth of III-V nanostructures for high performance devices.
8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics and Photonics, Las Vegas, USA, 15-17 November 2017
2017


AVIT G., ANDRE A., GIL E., TRASSOUDAINE A.
HVPE growth of III-V nanostructures for high performance devices.
8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics and Photonics, Las Vegas, USA, 15-17 November 2017
2017


COM
LEKHAL K., AVIT G., SI-YOUNG B., OUSSMAN B., ROCHE E., ANDRE Y., CASTELLUCI D., TRASSOUDAINE A., AMANO H.
III-Nitride based photovoltaic application on silicon: comparison between axial and core/shell nanowires devices
ICNS International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg
2017


AFF
HIJAZI H., ANDRE Y., MONIER G., LEROUX C., AVIT G., CASTELLUCI D., BIDEUX L., TRASSOUDAINE A., GIL E., ROBERT-GOUMET C.
Croissance catalysée de nanofils de GaAs sur substrat de Si(111)
GDR PULSE, Atelier consacré aux techniques de caractérisations structurales, Nice
2017


AVIT G., ROCHE E., ZEGHOUANE M., ANDRE Y., GIL E., TRASSOUDAINE A., LEYMARIE J., MEDARD F.
Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition
12th International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg
2017


ZEGHOUANE M., ROCHE E., AVIT G., ANDRE Y., TRASSOUDAINE A.
Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition
Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition
2017


ZEGHOUANE M., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI C., DISSEIX P., LEYMARIE J., MEDARD F., RAMDANI M., REVERET F., TRASSOUDAINE A.
HVPE growth and optical characterization of (In,Ga)N nanowires
Journées GaNeX 2017, Lille
2017


2016
ACL
AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., CASTELLUCI D., DUSSAIGNE A., FERRET P., GAUGIRAN S., GAYRAL B., GIL E., LEE Y., RAMDANI M., ROCHE E., TRASSOUDAINE A.
GaN Rods Grown on Si by SAG-HVPE toward GaN HVPE/InGaN MOVPE Core/Shell Structures
Crystal Growth and Design, vol. 16, p. 2509--2513
2016


TRASSOUDAINE A., ROCHE E., BOUGEROL C., ANDRE Y., AVIT G., MONIER G., RAMDANI M., GIL E., CASTELLUCI D., DUBROVSKII V.
Spontaneous formation of GaN/AlN core–shell nanowires on sapphire by hydride vapor phase epitaxy
Journal of Crystal Growth, vol. 454, p. 1--5
2016


AFF
ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI D., GIL E., LEYMARIE J., MEDARD F., REVERET F., .
Controlled Composition in Indium-rich InxGa1-xN nanowires grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
IWN International Workshop on Nitride Semiconductors, Orlando, Floride
2016


ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI D., DISSEIX P., LEYMARIE J., MEDARD F., RAMDANI M., REVERET F., TRASSOUDAINE A.
HVPE growth and optical characterization of (In,Ga)N nanowires
Journées GaNeX 2016, Montpellier
2016


2015
COM
ROCHE E., TRASSOUDAINE A., ANDRE Y., AVIT G., GIL E., CASTELLUCI D., BOUGEROL C., DUBROVSKI V.
(Ga,In)N nanostructures and nanowires grown by HVPE”
ISGN The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Hamamatsu, Japon
2015


AFF
ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI D., DISSEIX P., LEYMARIE J., MEDAR F., REVERET F., MONIER G., BOUGEROL C., DUBROVSKI V., DUSSAIGNE A., TRASSOUDAINE A.
(In,Ga)N Micro- and Nano-structures grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
ISGN The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Hamamatsu, Japon, Novembre 2015
2015


ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI D., DISSEIX P., LEYMARIE J., MEDAR F., REVERET F., MONIER G., TRASSOUDAINE A.
(In,Ga)N Micro- and Nano-structures grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
ISGN The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Hamamatsu, Japon, Novembre 2015
2015


ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI D., DISSEIX P., LEYMARIE J., MEDARD F., RAMDANI M., REVERET F., TRASSOUDAINE A.
HVPE growth and optical characterization of (In,Ga)N nanowires
Journées GaNeX 2015, Grenoble
2015


2014
ACL
GIL E., DUBROVSKII V., AVIT G., ANDRE Y., LEROUX C., LEKHAL K., GRECENKOV J., TRASSOUDAINE A., CASTELLUCI D., MONIER G., RAMDANI M., ROBERT C., BIDEUX L., HARMAND J., GLAS F.
Record Pure Zincblende Phase in GaAs Nanowires down to 5 nm in Radius
Nano Letters, vol. 14, p. 3938--3944
2014


AVIT G., LEKHAL K., ANDRE Y., BOUGEROL C., REVERET F., LEYMARIE J., GIL E., MONIER G., CASTELLUCI D., TRASSOUDAINE A.
Ultralong and Defect-Free GaN Nanowires Grown by the HVPE Process
Nano Letters, vol. 14, p. 559--562
2014


ANDRE Y., LEKHAL K., HOGGAN P., AVIT G., CADIZ F., ROWE A., PAGET D., PETIT E., LEROUX C., TRASSOUDAINE A., REDA RAMDANI M., MONIER G., COLAS D., AJIB R., CASTELLUCI D., GIL E.
Vapor liquid solid-hydride vapor phase epitaxy (vls-hvpe) growth of ultra-long defect-free gaas nanowires: ab initio simulations supporting center nucleation
journal of chemical physics, vol. 140, p. 194706
2014 may


ACTI
ANDRE Y., TRASSOUDAINE A., AVIT G., LEKHAL K., RAMDANI M., LEROUX C., MONIER G., VARENNE C., HOGGAN P., CASTELLUCI D., BOUGEROL C., REVERET F., LEYMARIE J., PETIT E., DUBROVSKII V., GIL E.
Hydride VPE: the unexpected process for fast growth of GaAs and GaN nanowires with record aspect ratio and polytypism-free crystalline structure
SPIE
2014


COM
RAMDANI R., TRASSOUDAINE A., AVIT G., ANDRE Y., GAYRAL B., BOUGEROL C., GIL E., REVERET F., LEYMARIE J., MONIER G., CASTELLUCI D.
Fast Growth synthesis of GaN nanostructures and nanowires by Hydride Vapor Phase Epitaxy
IWNS International Workshop on Nitride Semiconductors, Wroclaw Pologne
2014


2013
ACTI
ANDRE Y., TRASSOUDAINE A., AVIT G., LEKHAL K., RAMDANI M., LEROUX C., MONIER G., VARENNE C., HOGGAN P., CASTELLUCI D., BOUGEROL C., REVERET F., LEYMARIE J., PETIT E., DUBROVSKII V., GIL E.
Hydride vpe: the unexpected process for the fast growth of gaas and gan nanowires with record aspect ratio and polytypism-free crystalline structure
micro/nano materials, devices, and systems
2013


COM
ANDRE Y., AVIT G., LEKHAL K., GIL E., TRASSOUDAINE A., LEROUX C., BOUGEROL C., VARENNE C., MONIER G., FONTANILLE P., PIERRE G., PAGET D., ROWE A., PETIT E., CASTELLUCI D.
Hydride Vapor Phase Epitaxy of long III-V nanowires for light and biological applications
E-MRS Spring Meeting, Starsbourg, France
2013


2012
ACL
LEKHAL K., AVIT G., ANDRE Y., TRASSOUDAINE A., GIL E., VARENNE C., BOUGEROL C., MONIER G., CASTELLUCI D.
Catalyst-assisted hydride vapor phase epitaxy of gan nanowires: exceptional length and constant rod-like shape capability
nanotechnology, vol. 23, p. 405601
2012


LEKHAL K., ANDRE Y., TRASSOUDAINE A., GIL E., AVIT G., CELLIER J., CASTELLUCI D.
Exceptional crystal-defined bunched and hyperbunched gan nanorods grown by catalyst-free hvpe
crystal growth & design, vol. 12, p. 2251--2256
2012




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Fonction : Permanent (UCA)
Lieu d'exercice : EUPI Bat. 3/4/L
Equipe : Minamat-3VAH (PHOTON)
Téléphone : +33


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2020
ACL
ZEGHOUANE M., ANDRE Y., AVIT G., JRIDI J., BOUGEROL C., COULON P., FERRET P., CASTELLUCI D., GIL E., SHIELDS P., DUBROVSKII V., TRASSOUDAINE A.
Formation of voids in selective area growth of InN nanorods in SiN x on GaN templates
Nano Futures, vol. 4, p. 025002
2020 may 29


ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., TALIERCIO T., FERRET P., GIL E., CASTELLUCI D., DISSEIX P., LEYMARIE J., TOURNIE E., TRASSOUDAINE A.
Morphological Control of InN Nanorods by Selective Area Growth–Hydride Vapor-Phase Epitaxy
crystal growth \& design, vol. 20, p. 2232
2020


2019
ZEGHOUANE M., AVIT G., CORNELIUS T., SALOMON D., ANDRE Y., BOUGEROL C., TALIERCIO T., MEGUEKAM-SADO A., FERRET P., CASTELLUCI D., GIL E., TOURNIE E., THOMAS T., TRASSOUDAINE A.
Selective growth of ordered hexagonal InN nanorods
CrystEngComm, vol. 21, p. 2702
2019 apr 15


COM
ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., FERRET P., CASTELLUCI D., TOUNIE E., TALERCIO T., MEGUEKAM A., ROBIN Y., DUBROVSKII V., AMANO H., TRASSOUDAINE A.
Position and composition controlled high quality (In, Ga)N nanowires grown by HVPE
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
2019


AFF
JRIDI J., ZEGHOUNE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., FERRET P., CASTELLUCI D., ROBIN Y., DUBROVSKII V., AMANO H., TRASSOUDAINE A.
Self-induced InGaN nanowires with a controlled InN mole fraction by HVPE
13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13)
2019


2018
ACL
ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., BOUGEROL C., CASTELLUCI D., REVERET F., GIL E., MEDARD F., LEYMARIE J., JEAN T., DUBROVSKII V., TRASSOUDAINE A.
Circumventing the miscibility gap in InGaN nanowires emitting from blue to red
Nanotechnology, vol. 29, p. 465602
2018


ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., ROBIN Y., FERRET P., CASTELLUCI D., GIL E., DUBROVSKII V., HIROSHI A., TRASSOUDAINE A.
Compositional control of homogeneous InGaN nanowires with the In content up to 90%.
Nanotechnology, vol. 30, p. 044001
2018


AVIT G., ZEGHOUANE M., ANDRE Y., CASTELLUCI D., GIL E., SI-YOUNG B., AMANO H., TRASSOUDAINE A.
Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-D microstructures in SAG-HVPE.
Crystal Engineering Communication, vol. 20, p. 6207--6213
2018


HIJAZI H., DUBROVSKII V., MONIER G., GIL E., LEROUX C., AVIT G., TRASSOUDAINE A., BOUGEROL C., CASTELLUCI D., ROBERT GOUMET C., ANDRE Y.
Influence of silicon on the nucleation rate of GaAs nanowires on silicon substrates
The Journal of Physical Chemistry, vol. 122, p. 19230--19235
2018


COM
ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., FERRET P., CASTELLUCI D., TRASSOUDAINE A.
Growth of (In,Ga)N nanowires with a controlled indium mole fraction by HVPE
4,5- 7th NANOSEA International Conference NANO-structures and nanomaterials SElf-Assembly, Carqueiranne (NanoSEA), France
2018


ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., FERRET P., CASTELLUCI D., TOURNIE E., TALERCIO T., MEGUEKAM A., ROBIN Y., DUBROVSKI V., AMANO H., TRASSOUDAINE A.
Self-induced and selective area growth of (In,Ga)N nanowires
IWN International workshop on Nitride Semiconductors, Kanazawa, Japan
2018


AVIT G., ZEGHOUANE M., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., CASTELLUCI D., FERRET P., ROCHE E., LEYMARIE J., MEDARD F., DUBROVSKI V., TRASSOUDAINE A.
Self-induced growth of InN nanowires and selective area growth of In(Ga)N nanowires with a controlled mole fraction by HVPE
ISGN 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Varsovie, Pologne
2018


AFF
HIJAZI H., AVIT G., PAGET D., MONIER G., GIL E., DONG Z., MONIER G., ROBERT-GOUMET C., CASTELLUCI D., TRASSOUDAINE A., LEROUX C., DUBROVSKI V., ANDRE Y.
Charge and spin diffusion in gallium arsenide nanowires grown by HVPE
16 ème Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO, Agay
2018


ANDRE Y., ZEGHOUANE M., AVIT G., ROCHE E., BOUGEROL C., LEYMARIE J., MEDARD F., MONIER G., REVERET F., CASTELLUCI D., DUBROVSKII V., GIL E., TRASSOUDAINE A.
Hydride Vapor Phase Epitaxy of binary and ternary III-Nitride nanowires
Nanowire week conference 2018, Hamilton, Canada
2018


ZEGHOUANE M., AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., GIL E., FERRET P., CASTELLUCI D., DUBROVSKI V., TRASSOUDAINE A.
“HVPE growth of InGaN nanowires with a controlled indium mole fraction and selective area growth of well-ordered InN nano- and microwires
16 ème Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO, Agay
2018


2017
ACTI
ANDRE Y., DONG Z., ROCHE E., AVIT G., DUBROVSKII V., BOUGEROL C., VARENNE C., AUDONNET F., FONTANILLE P., LEYMARIE J., M&EACUTE;DARD F., MONIER G., REVERET F., CASTELLUCI D., TRASSOUDAINE A., GIL E.
Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) growth of III-V and III-Nitrides nanowires on silicon
Energy Materials Nanotechnology EMN Epitaxy
2017 11


INV
AMANO H., AVIT G., TRASSOUDAINE A.
Growth of III-Nitride Nanorods for Future Optoelectronics Applications.
18th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures, Neubaukirche in Würzburg, Germany, July 2017.
2017


AVIT G.
HVPE growth of III-V nanostructures for high performance devices.
8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics and Photonics, Las Vegas, USA, 15-17 November 2017
2017


AVIT G., ANDRE A., GIL E., TRASSOUDAINE A.
HVPE growth of III-V nanostructures for high performance devices.
8th International Conference and Exhibition on Lasers, Optics and Photonics, Las Vegas, USA, 15-17 November 2017
2017


COM
LEKHAL K., AVIT G., SI-YOUNG B., OUSSMAN B., ROCHE E., ANDRE Y., CASTELLUCI D., TRASSOUDAINE A., AMANO H.
III-Nitride based photovoltaic application on silicon: comparison between axial and core/shell nanowires devices
ICNS International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg
2017


AFF
HIJAZI H., ANDRE Y., MONIER G., LEROUX C., AVIT G., CASTELLUCI D., BIDEUX L., TRASSOUDAINE A., GIL E., ROBERT-GOUMET C.
Croissance catalysée de nanofils de GaAs sur substrat de Si(111)
GDR PULSE, Atelier consacré aux techniques de caractérisations structurales, Nice
2017


AVIT G., ROCHE E., ZEGHOUANE M., ANDRE Y., GIL E., TRASSOUDAINE A., LEYMARIE J., MEDARD F.
Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition
12th International Conference on Nitride Semiconductors, Strasbourg
2017


ZEGHOUANE M., ROCHE E., AVIT G., ANDRE Y., TRASSOUDAINE A.
Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition
Defect-free InGaN nanowires on silicon whatever the indium composition
2017


ZEGHOUANE M., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI C., DISSEIX P., LEYMARIE J., MEDARD F., RAMDANI M., REVERET F., TRASSOUDAINE A.
HVPE growth and optical characterization of (In,Ga)N nanowires
Journées GaNeX 2017, Lille
2017


2016
ACL
AVIT G., ANDRE Y., BOUGEROL C., CASTELLUCI D., DUSSAIGNE A., FERRET P., GAUGIRAN S., GAYRAL B., GIL E., LEE Y., RAMDANI M., ROCHE E., TRASSOUDAINE A.
GaN Rods Grown on Si by SAG-HVPE toward GaN HVPE/InGaN MOVPE Core/Shell Structures
Crystal Growth and Design, vol. 16, p. 2509--2513
2016


TRASSOUDAINE A., ROCHE E., BOUGEROL C., ANDRE Y., AVIT G., MONIER G., RAMDANI M., GIL E., CASTELLUCI D., DUBROVSKII V.
Spontaneous formation of GaN/AlN core–shell nanowires on sapphire by hydride vapor phase epitaxy
Journal of Crystal Growth, vol. 454, p. 1--5
2016


AFF
ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI D., GIL E., LEYMARIE J., MEDARD F., REVERET F., .
Controlled Composition in Indium-rich InxGa1-xN nanowires grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
IWN International Workshop on Nitride Semiconductors, Orlando, Floride
2016


ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI D., DISSEIX P., LEYMARIE J., MEDARD F., RAMDANI M., REVERET F., TRASSOUDAINE A.
HVPE growth and optical characterization of (In,Ga)N nanowires
Journées GaNeX 2016, Montpellier
2016


2015
COM
ROCHE E., TRASSOUDAINE A., ANDRE Y., AVIT G., GIL E., CASTELLUCI D., BOUGEROL C., DUBROVSKI V.
(Ga,In)N nanostructures and nanowires grown by HVPE”
ISGN The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Hamamatsu, Japon
2015


AFF
ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI D., DISSEIX P., LEYMARIE J., MEDAR F., REVERET F., MONIER G., BOUGEROL C., DUBROVSKI V., DUSSAIGNE A., TRASSOUDAINE A.
(In,Ga)N Micro- and Nano-structures grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
ISGN The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Hamamatsu, Japon, Novembre 2015
2015


ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI D., DISSEIX P., LEYMARIE J., MEDAR F., REVERET F., MONIER G., TRASSOUDAINE A.
(In,Ga)N Micro- and Nano-structures grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy
ISGN The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Hamamatsu, Japon, Novembre 2015
2015


ROCHE E., ANDRE Y., AVIT G., CASTELLUCI D., DISSEIX P., LEYMARIE J., MEDARD F., RAMDANI M., REVERET F., TRASSOUDAINE A.
HVPE growth and optical characterization of (In,Ga)N nanowires
Journées GaNeX 2015, Grenoble
2015


2014
ACL
GIL E., DUBROVSKII V., AVIT G., ANDRE Y., LEROUX C., LEKHAL K., GRECENKOV J., TRASSOUDAINE A., CASTELLUCI D., MONIER G., RAMDANI M., ROBERT C., BIDEUX L., HARMAND J., GLAS F.
Record Pure Zincblende Phase in GaAs Nanowires down to 5 nm in Radius
Nano Letters, vol. 14, p. 3938--3944
2014


AVIT G., LEKHAL K., ANDRE Y., BOUGEROL C., REVERET F., LEYMARIE J., GIL E., MONIER G., CASTELLUCI D., TRASSOUDAINE A.
Ultralong and Defect-Free GaN Nanowires Grown by the HVPE Process
Nano Letters, vol. 14, p. 559--562
2014


ANDRE Y., LEKHAL K., HOGGAN P., AVIT G., CADIZ F., ROWE A., PAGET D., PETIT E., LEROUX C., TRASSOUDAINE A., REDA RAMDANI M., MONIER G., COLAS D., AJIB R., CASTELLUCI D., GIL E.
Vapor liquid solid-hydride vapor phase epitaxy (vls-hvpe) growth of ultra-long defect-free gaas nanowires: ab initio simulations supporting center nucleation
journal of chemical physics, vol. 140, p. 194706
2014 may


ACTI
ANDRE Y., TRASSOUDAINE A., AVIT G., LEKHAL K., RAMDANI M., LEROUX C., MONIER G., VARENNE C., HOGGAN P., CASTELLUCI D., BOUGEROL C., REVERET F., LEYMARIE J., PETIT E., DUBROVSKII V., GIL E.
Hydride VPE: the unexpected process for fast growth of GaAs and GaN nanowires with record aspect ratio and polytypism-free crystalline structure
SPIE
2014


COM
RAMDANI R., TRASSOUDAINE A., AVIT G., ANDRE Y., GAYRAL B., BOUGEROL C., GIL E., REVERET F., LEYMARIE J., MONIER G., CASTELLUCI D.
Fast Growth synthesis of GaN nanostructures and nanowires by Hydride Vapor Phase Epitaxy
IWNS International Workshop on Nitride Semiconductors, Wroclaw Pologne
2014


2013
ACTI
ANDRE Y., TRASSOUDAINE A., AVIT G., LEKHAL K., RAMDANI M., LEROUX C., MONIER G., VARENNE C., HOGGAN P., CASTELLUCI D., BOUGEROL C., REVERET F., LEYMARIE J., PETIT E., DUBROVSKII V., GIL E.
Hydride vpe: the unexpected process for the fast growth of gaas and gan nanowires with record aspect ratio and polytypism-free crystalline structure
micro/nano materials, devices, and systems
2013


COM
ANDRE Y., AVIT G., LEKHAL K., GIL E., TRASSOUDAINE A., LEROUX C., BOUGEROL C., VARENNE C., MONIER G., FONTANILLE P., PIERRE G., PAGET D., ROWE A., PETIT E., CASTELLUCI D.
Hydride Vapor Phase Epitaxy of long III-V nanowires for light and biological applications
E-MRS Spring Meeting, Starsbourg, France
2013


2012
ACL
LEKHAL K., AVIT G., ANDRE Y., TRASSOUDAINE A., GIL E., VARENNE C., BOUGEROL C., MONIER G., CASTELLUCI D.
Catalyst-assisted hydride vapor phase epitaxy of gan nanowires: exceptional length and constant rod-like shape capability
nanotechnology, vol. 23, p. 405601
2012


LEKHAL K., ANDRE Y., TRASSOUDAINE A., GIL E., AVIT G., CELLIER J., CASTELLUCI D.
Exceptional crystal-defined bunched and hyperbunched gan nanorods grown by catalyst-free hvpe
crystal growth & design, vol. 12, p. 2251--2256
2012




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